Компания SK hynix опубликовала отчёт о работе в IV квартале и 2023 году в целом. Отмечается, что ситуация на глобальном рынке памяти начала стабилизироваться: этому, в частности, способствует высокий спрос на ИИ-серверы. В результате, средняя стоимость чипов увеличилась, и SK hynix смогла нарастить продажи к концу года.

Выручка за последнюю четверть 2023-го составила ₩11,31 трлн, или приблизительно $8,47 млрд. Это на 47 % больше по сравнению с показателем за аналогичный период предыдущего года. При этом компания понесла чистые убытки в размере ₩1,38 трлн (около $1,03 млрд). Годом ранее убытки были больше — примерно ₩2,19 трлн ($1,64 млрд).

Источник изображения: SK hynix

По итогам 2023 года в целом продажи SK hynix составили ₩32,77 трлн (приблизительно $24,54 млрд). По сравнению с 2022 годом зафиксировано падение на уровне 27 %. Компания понесла чистые убытки в размере ₩9,14 трлн ($6,84 млрд), тогда как годом ранее была показана чистая прибыль в ₩2,24 трлн ($1,68 млрд).

SK hynix заявляет, что продажи её основных продуктов — изделий DDR5 и HBM3 — к концу 2023 года выросли более чем в четыре и пять раз соответственно по сравнению с 2022-м. При этом в сегменте NAND, где восстановление происходит относительно медленно, компания уделяет основное внимание оптимизации инвестиций и затрат.

SK hynix сфокусирует усилия на массовом производстве памяти HBM3E, которая востребована на рынке ИИ-систем. Кроме того, продолжится разработка HBM4. На рынки серверов и мобильных устройств компания намерена поставлять высокопроизводительные продукты DDR5 и LPDDR5T большой ёмкости.

Компания SK hynix объявила о разработке самой высокопроизводительной в мире памяти HBM3E, предназначенной для использования в современных ИИ-системах. Образцы изделий уже поставляются отдельным заказчикам для оценки технических характеристик.

HBM3E — это пятое поколение памяти данного типа, приходящее на смену изделиям HBM, HBM2, HBM2E и HBM3. HBM3E представляет собой улучшенную версию HBM3. Массовое производство HBM3E компания SK hynix намерена организовать в первой половине следующего года.

Источник изображения: SK hynix

По заявлениям разработчика, память HBM3E соответствует самым высоким отраслевым стандартам скорости передачи данных. Таким образом, изделия подходят для применения в наиболее нагруженных ИИ-платформах. Кроме того, при создании памяти были учтены жёсткие требования в плане рассеяния тепла. Утверждается, что изделия HBM3E способны перемещать информацию со скоростью до 1,15 Тбайт/с.

При изготовлении чипов компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки. Это даёт возможность улучшить теплоотведение приблизительно на 10%. Говорится об обратной совместимости с HBM3, что упрощает внедрение новой памяти.

По оценкам, доля SK hynix на мировом рынке памяти HBM по итогам 2022 года составила приблизительно 50 %. В текущем году, как ожидается, этот показатель окажется на уровне 46–49 %, в 2024 году — 47–49 %.

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.

Компания MemVerge на суперкомпьютерной конференции ISC 2023 представила, как утверждается, первую в отрасли технологию общей мультисерверной памяти на основе стандарта Compute Express Link (CXL). Проект, получивший название Gismo (Global IO-Free Shared Memory Objects), призван повысить производительность серверных платформ.

Отмечается, что сетевые операции ввода-вывода и системы хранения являются узкими местами платформ распределённых приложений, интенсивно использующих данные. Решение Gismo как раз и призвано устранить данные проблемы. Речь идёт о концепции «бесконечной памяти».

Применены технология CXL 2.0 (PCIe 5.0), программные компоненты службы MemVerge Elastic Memory и аппаратные решения SK hynix (Niagara Pooled Memory System). Платформа позволяет хост-серверам динамически перераспределять память по мере необходимости, чтобы избежать дефицита DRAM. Иными словами, если приложению требуется больше памяти, нежели доступно физически, сервер может использовать ПО MemVerge для получения доступа к дополнительным объёмам DRAM на других серверах посредством CXL.

Источник: SK hynix

Утверждается, что революционная технология MemVerge призвана изменить ландшафт распределённых вычислений, давая компаниям возможность масштабировать свои операции и максимизировать производительность. Одним из первых участников проекта Gismo стала компания Timeplus — разработчик потоковой базы данных следующего поколения. Применение технологии позволило Timeplus значительно улучшить отказоустойчивость своей системы и повысить скорость обработки запросов.

Компания SK hynix объявила о создании рабочих образцов памяти DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM: это, как утверждается, самые производительные модули DRAM для серверов на сегодняшний день. Изделия имеют эквивалентную производительность DDR5-8000, что значительно больше по сравнению с широко распространёнными продуктами DDR5-4800.

MCR DIMM — двухранговая память, спроектированная совместно со специалистами Intel и Renesas. В модулях обеспечивается одновременное использование двух рангов, для чего служит специальный буфер данных между DRAM и CPU. Данный подход напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.

Источник изображений: SK hynix

Такая архитектура даёт возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону CPU по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без увеличения быстродействия собственно чипов памяти.

Говорится, что достижение стало возможным благодаря сочетанию опыта SK hynix по проектированию модулей DRAM, передовых технологий Intel, используемых в процессорах Xeon, и буферной технологии Renesas. Для стабильной работы модулей MCR DIMM необходимо согласованное взаимодействие между буфером данных и CPU. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, но сроков начала массового производства не называет.

Южнокорейская компания SK hynix, один из крупнейших в мире поставщиков чипов DRAM и NAND, обнародовала неутешительные показатели работы в III квартале 2022 года. По всем ключевым показателям зафиксирована отрицательная динамика, что объясняется сложившейся макроэкономической обстановкой и снижением цен на память.

Выручка за трёхмесячный период составила ₩‎10,98 трлн (приблизительно $7,7 млрд). Это на 7 % меньше результата годичной давности — ₩‎11,81 трлн. Операционная прибыль в годовом исчислении рухнула на 60 % —до ₩‎1,66 трлн ($1,18 млрд), а чистая прибыль сократилась на 67 %, оказавшись на отметке ₩‎1,10 трлн (примерно $780 млн).

Источник изображений: SK hynix

Столь резкое снижение прибыли SK hynix связывает с беспрецедентным ухудшением условий на рынке полупроводниковой продукции и неопределённостями в бизнес-среде. Производители компьютеров и смартфонов, которые являются основными покупателями микросхем памяти, сократили объёмы заказов из-за падения спроса.

SK hynix прогнозирует, что в обозримой перспективе предложение на мировом рынке памяти будет по-прежнему превышать спрос. А поэтому компания вынуждена сократить инвестиции в следующем году более чем на 50 % по сравнению с 2022-м. Ожидается, что в текущем году капиталовложения составят ₩‎10–20 трлн.

Надежды возлагаются лишь на серверную отрасль. Спрос на чипы памяти в сегменте ЦОД в краткосрочной перспективе может снизиться, но в среднесрочной и долгосрочной перспективах ожидается рост. Это объясняется увеличивающейся популярностью облачных платформ, расширением инфраструктур гиперскейлеров и внедрением ИИ.

Кроме того, SK hynix в следующем году расширит производство первой в отрасли 238-слойной памяти 4D NAND, которая была анонсирована в прошлом квартале. За счёт этого компания рассчитывает повысить прибыльность.

«Вычислительные» или «умные» SSD уже не являются новой технологией: один за другим разработчики на рынок новые продукты. А плодом сотрудничества между Лос-Аламосской национальной лабораторией (LANL) и компанией SK hynix стал новый класс подобного рода устройств.

На мероприятии Flash Memory Summit 2022 этот альянс продемонстрировал SSD, в котором доступ к данным основан не на традиционном блочном принципе и даже не на файловом, а на принципе хранилищ «ключ-значение» (key–value store, KV-CSD). Это не первый подобный проект. Более того, в спецификациях NVMe 2.0 уже определён необходимый набор команд.

Прототип KV-CSD. Источник: LANL

Структуры «ключ-значение» широко применяются в индустрии аналитики, так что накопитель, способный работать с таким форматом данных напрямую и на низком уровне может обеспечить огромный выигрыш в производительности в ряде сценариев. Детище LANL и SK hynix, работающее под управлением DeltaFS такой выигрыш и продемонстрировало, превзойдя классические SSD в 1000 раз за счёт эффективной индексации и сокращения объёмов передаваемых при запросе данных (data reduction).

Представитель LANL отметил, что такая эффективность в первичной обработке данных серьезно ускоряет анализ результатов крупномасштабных физических симуляций в сравнении с файловым хранилищем. Прямая работа с данными на столь низком уровне должна помочь учёным справиться с постоянно растущими объёмами информации. Оба участника альянса довольны полученными результатами и намереваются продолжить сотрудничество в деле разработки и выпуска вычислительных накопителей нового типа.

SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года.

Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах.

Изображения: SK Hynix

Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут.

SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.